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瑞健IGBT推出了高集成度六管封装IGBT功率模块系列添加时间:2017-10-07

电力电子行业领先供应商瑞健IGBT推出了高集成度六管封装IGBT功率模块系列

瑞健IGBT功率模块采用了英飞凌新一代IGBT4技术和三菱第六代IGBT芯片技术,低导通损耗、结构紧凑,EMC性能进一步提升。与第三代

瑞健IGBT比,英飞凌IGBT4将使总损耗更低,开关行为更轻柔软,同时芯片的面积更小;而三菱IGBT6.1M能够提供更低的饱和电压和更优异的开关特性。

替代开炼机

瑞健IGBT功率模块特性:

• 低导通损耗和改善EMC的IGBT技术

• 可提供1200V IGBT4技术和三菱IGBT6.1M

• 紧凑,低电感设计

• 内置NTC

IGBT