IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点。IGBT的驱动电路作为与功率器件的直接关联部分，其性能直接影响IGBT的功耗、安全性与可靠性等特性，在功率变换器内发挥相当重要的作用。而IGBT对于技术要求较高，国内企业还没有从事IGBT及其驱动电路的生产。因此，致力于IGBT驱动电路及其应用电路的研究，研制出具有高性能的IGBT驱动电路，具有重要的理论意义和实际应用价值，并带动相关产业的发展，必将产生巨大的社会效益和经济效益。该驱动电路研制成功后，可广泛应用于各类IGBT的驱动。
 
  IGBT对驱动电路的基本要求
  功率器件IGBT对驱动电路有一些特殊的要求，驱动电路性能的优劣是其可靠工作、正常运行的关键，设计合理的驱动电路应具有如下基本要求。
  1. 驱动电路为IGBT提供一定幅值的正反向栅极电压UGE。理论上UGE≥UGE(th)时，IGBT即可开通；当UGE太大时，可能引起栅极电压震荡，损坏栅极。正向UGE越大，IGBT器件的UGES越小，越有利于降低器件的通态损耗，但也会使IGBT承受短路电流的时间变短，使续流二极管反向恢复电压增大。因此正偏压要适当，一般不允许UGE大于＋20V。关断IGBT时，必须为IGBT提供-15～-5V的反向UGE，以便尽快抽取IGBT器件内部的存储电荷，缩短关断时间，提供IGBT的耐压和抗干扰能力。
  2. IGBT处于主电路地位，它的集电极直接接较高的工作电压，而驱动电路工作电压低，因此驱动电路应具有对地电位浮动的直流供电电源。故要求驱动电路具有隔离输入、输出信号的功能，同时要求在驱动电路内部信号传输无延时或延时很短。
  3. 在栅极回路中必须串联合适的电阻RG，用于控制UGE的前后沿陡度，进而控制IGBT器件的开关损耗。RG增大，UGE前后沿变缓，IGBT开关过程延长，开关损耗增加；RG减小，
UGE前后沿变陡，IGBT开关损耗降低，同时集电极电流变化率增大。较小的栅极电阻使得IGBT开通时的di／dt变大，导致较高的du／dt，增加了续流二极管恢复时的浪涌电压。因此，在设计栅极电阻时要兼顾到这两个方面的问题。
  选择适当的栅极串联电阻对IGBT栅极驱动相当重要。IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充放电来实现的，因此栅极电阻值将对IGBT的动态特性产生极大的影响。数值较小的电阻使栅极电容的充放电速度较快，从而减小开关时间和开关损耗。所以，较小的栅极电阻增强了器件工作的耐固性，但它只能承受较小的栅极噪声，并可能导致栅极－发射极电容和栅极驱动导线的寄生电感产生震荡。
  当RG增大时，可抑制栅极脉冲前后沿的陡度和防止振荡，减小开关开通时的di／dt，减小IGBT集电极的尖峰电压；但当RG增大时，IGBT开关时间延长，开关损耗加大。
  当RG减小时，减小了IGBT开关时间，降低了开关损耗；但RG太小时，会导致IGBT栅极、发射极之间振荡，IGBT集电极di／dt增加，引起IGBT集电极产生尖峰电压，损坏IGBT。应根据IGBT的电流容量和电压额定值和开关频率选取RG值(如10Ω、15Ω、27Ω等)，并在IGBT的栅极和发射极之间并联一个RGE≈10kΩ的电阻。
  IGBT的开关要消耗来自栅极电源的功率。其功耗受栅极驱动负、正偏置电压的差值△UGE、栅极总电荷QG和工作频率fs的影响。电源的平均功率PAV为
P_AV=△U_GE×Q_G×f_s
IGBT逆变电路、电压、电流波形图见图1。

  4. 驱动电路应具有过电压保护和du／dt的保护能力。通常用两个极性相反的齐纳稳压二极管串联组成限幅器，确保IGBT基极不被击穿。由于IGBT的安全工作区域较宽，在一些电路中不设缓冲电路。
  5. 当发生短路或过电流故障时，理想的驱动电路还应该具备完善的短路保护能力。通常采用检出过电流信号切断IGBT栅极信号来进行保护。
  6. IGBT驱动电路应尽可能简单、实用，最好自身带有对被驱动功率IGBT的完整保护能力，并具有很强的抗干扰性能，其输出阻抗尽可能地低，到IGBT模块的引线应尽可能短，引线应采用绞线或同轴电缆屏蔽线。