富士IGBT N系列

富士电机电子设备技术的IGBT 富士电机电子设备技术的IGBT技术从1988年开始产品化，至今一直在市场上供应。图 1-3中表现了从第一代到第五代IGBT产品的开发过程以及运用技术。第一代至第三代的IGBT中运用了外延片，通过优化生命期控制和IGBT的细微化技术，进行了特性的改善。然后，第四代和第五代产品通过从外延片过渡为FZ（Floating Zone）晶片，实现了大幅度的特性改善。就此，IGBT的设计方针与从前相比，发生了很大的转变。 首先，运用外延片的IGBT（第三～第四代的600V型为止的系列产品，被称为“击穿型”）的基本设计思想如下所述。IGBT在导通时为了实现低通态电压化，从集电极侧注入大量的载流子，使IGBT内部充满高浓度的载流子，再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层，形成很薄的

1MBI600N-060 1单元，600A/600V

2MBI75N-060 2单元，75A/600V

2MBI100N-060 2单元，100A/600V

2MBI150N-060 2单元，150A/600V

2MBI200N-060 2单元，200A/600V

2MBI300N-060 2单元，300A/600V

2MBI400N-060 2单元，400A/600V