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富士IGBT N系列添加时间:2016-02-04

富士IGBT N系列

富士电机电子设备技术的IGBT 富士电机电子设备技术的IGBT技术从1988年开始产品化,至今一直在市场上供应。图 1-3中表现了从第一代到第五代IGBT产品的开发过程以及运用技术。第一代至第三代的IGBT中运用了外延片,通过优化生命期控制和IGBT的细微化技术,进行了特性的改善。然后,第四代和第五代产品通过从外延片过渡为FZ(Floating Zone)晶片,实现了大幅度的特性改善。就此,IGBT的设计方针与从前相比,发生了很大的转变。 首先,运用外延片的IGBT(第三~第四代的600V型为止的系列产品,被称为“击穿型”)的基本设计思想如下所述。IGBT在导通时为了实现低通态电压化,从集电极侧注入大量的载流子,使IGBT内部充满高浓度的载流子,再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层,形成很薄的

1MBI600N-060 1单元,600A/600V

2MBI75N-060 2单元,75A/600V

2MBI100N-060 2单元,100A/600V

2MBI150N-060 2单元,150A/600V

2MBI200N-060 2单元,200A/600V

2MBI300N-060 2单元,300A/600V

2MBI400N-060 2单元,400A/600V